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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2990UDJ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963 下载数据手册射频晶体管	+10：￥1.808064 +100：￥1.536912 +300：￥1.265616 +500：￥1.130112 +1000：￥1.03968	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 450mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 990 毫欧 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27.6pF 16V 功率 - 最大值： 350mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-963 供应商器件封装： SOT-963 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2990UDJ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963 下载数据手册射频晶体管	+5：￥0.657149 +50：￥0.546782 +150：￥0.491596 +500：￥0.450209 +2500：￥0.417099	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 450mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 990 毫欧 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27.6pF 16V 功率 - 最大值： 350mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-963 供应商器件封装： SOT-963 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2990UDJ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.826551 +50：￥0.751894	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 450mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 990 毫欧 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27.6pF 16V 功率 - 最大值： 350mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-963 供应商器件封装： SOT-963 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2990UDJ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963 下载数据手册射频晶体管	+10000：￥0.755399	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 450mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 990 毫欧 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27.6pF 16V 功率 - 最大值： 350mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-963 供应商器件封装： SOT-963 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2990UDJ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963 下载数据手册射频晶体管	+10000：￥1.305326	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 450mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 990 毫欧 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27.6pF 16V 功率 - 最大值： 350mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-963 供应商器件封装： SOT-963 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN2990UDJ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.206811 +10：￥4.233364 +100：￥2.880725 +500：￥2.1606 +1000：￥1.620337	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-963 供应商器件封装： SOT-963
	DMN2990UDJ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.206811 +10：￥4.233364 +100：￥2.880725 +500：￥2.1606 +1000：￥1.620337	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-963 供应商器件封装： SOT-963

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2990UDJ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963 下载数据手册未分类	+1：￥7.031265 +10：￥5.704912 +100：￥3.883177 +500：￥2.924367 +1000：￥2.013499	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 450mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 990 毫欧 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27.6pF 16V 功率 - 最大值： 350mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-963 供应商器件封装： SOT-963 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2990UDJ-7 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 20V 0.45A 6-Pin SOT-963 T/R 下载数据手册未分类	+1：￥5.916035 +10：￥4.71445 +25：￥4.669214 +100：￥3.200456 +250：￥3.16794	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2990UDJ-7 DIODES(美台) 授权代理品牌	MOSFET, DUAL, N-CH, 20V, 0.45A 下载数据手册未分类	+5：￥3.830428 +10：￥2.86409 +100：￥1.501901 +500：￥1.210833 +1000：￥0.909293	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMN2990UDJ-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	450mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	990 毫欧 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.5nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	27.6pF 16V
功率 - 最大值:	350mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-963
供应商器件封装:	SOT-963
温度:	-55°C # 150°C（TJ）