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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG6601LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT 下载数据手册射频晶体管	+10：￥2.218032 +100：￥1.643328 +200：￥1.268496 +500：￥1.07712 +800：￥0.968832	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A，2.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.3nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 422pF 15V 功率 - 最大值： 850mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	DMG6601LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A，2.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.3nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 422pF 15V 功率 - 最大值： 850mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG6601LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.509894 +100：￥0.473231	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A，2.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.3nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 422pF 15V 功率 - 最大值： 850mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG6601LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.580665	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A，2.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.3nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 422pF 15V 功率 - 最大值： 850mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMG6601LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.541389 +9000：￥0.536481 +15000：￥0.53145 +45000：￥0.526541 +75000：￥0.52151	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A，2.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.3nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 422pF 15V 功率 - 最大值： 850mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMG6601LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT 下载数据手册射频晶体管	+50：￥2.594544 +750：￥2.464596 +1500：￥2.390849	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A，2.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.3nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 422pF 15V 功率 - 最大值： 850mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMG6601LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT 下载数据手册射频晶体管	+30000：￥0.681277 +60000：￥0.649004	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A，2.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.3nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 422pF 15V 功率 - 最大值： 850mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMG6601LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.831638 +9000：￥0.792742 +15000：￥0.772136 +30000：￥0.746669 +60000：￥0.711245	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A，2.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.3nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 422pF 15V 功率 - 最大值： 850mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMG6601LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT 下载数据手册射频晶体管	+9000：￥0.644566 +15000：￥0.627433 +45000：￥0.599071 +75000：￥0.57314	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A，2.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.3nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 422pF 15V 功率 - 最大值： 850mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMG6601LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.61675 +6000：￥0.602973 +9000：￥0.534093 +30000：￥0.527169 +75000：￥0.447902	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A，2.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.3nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 422pF 15V 功率 - 最大值： 850mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMG6601LVT-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.8A，2.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	55 毫欧 3.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12.3nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	422pF 15V
功率 - 最大值:	850mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装:	TSOT-23
温度:	-55°C # 150°C（TJ）