| DMG6601LVT-7 | MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT 射频晶体管 | | | 品牌: Diodes Incorporated 包装: 剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 在售 FET 类型: N 和 P 沟道 FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压(Vdss): 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.8A,2.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 55 毫欧 3.4A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12.3nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 422pF 15V 功率 - 最大值: 850mW 工作温度: -55°C # 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装: TSOT-23 温度: -55°C # 150°C(TJ) |
| DMG6601LVT-7 | MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT 射频晶体管 | | | 品牌: Diodes Incorporated 包装: 剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 在售 FET 类型: N 和 P 沟道 FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压(Vdss): 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.8A,2.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 55 毫欧 3.4A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12.3nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 422pF 15V 功率 - 最大值: 850mW 工作温度: -55°C # 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装: TSOT-23 温度: -55°C # 150°C(TJ) |
| DMG6601LVT-7 | MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT 射频晶体管 | | | 品牌: Diodes Incorporated 包装: 剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 在售 FET 类型: N 和 P 沟道 FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压(Vdss): 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.8A,2.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 55 毫欧 3.4A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12.3nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 422pF 15V 功率 - 最大值: 850mW 工作温度: -55°C # 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装: TSOT-23 温度: -55°C # 150°C(TJ) |
| DMG6601LVT-7 | MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT 射频晶体管 | | | 品牌: Diodes Incorporated 包装: 剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 在售 FET 类型: N 和 P 沟道 FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压(Vdss): 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.8A,2.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 55 毫欧 3.4A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12.3nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 422pF 15V 功率 - 最大值: 850mW 工作温度: -55°C # 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装: TSOT-23 温度: -55°C # 150°C(TJ) |
| DMG6601LVT-7 | MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT 射频晶体管 | | | 品牌: Diodes Incorporated 包装: 剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 在售 FET 类型: N 和 P 沟道 FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压(Vdss): 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.8A,2.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 55 毫欧 3.4A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12.3nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 422pF 15V 功率 - 最大值: 850mW 工作温度: -55°C # 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装: TSOT-23 温度: -55°C # 150°C(TJ) |
| DMG6601LVT-7 | MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT 射频晶体管 | | | 品牌: Diodes Incorporated 包装: 剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 在售 FET 类型: N 和 P 沟道 FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压(Vdss): 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.8A,2.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 55 毫欧 3.4A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12.3nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 422pF 15V 功率 - 最大值: 850mW 工作温度: -55°C # 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装: TSOT-23 温度: -55°C # 150°C(TJ) |