品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Ta），100A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 毫欧 20A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40.1 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2798 pF 20 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.62W（Ta），65.2W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： PowerDI3333-8

封装/外壳： 8-PowerVDFN

温度： -55°C # 175°C（TJ）

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： 8-PowerVDFN

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 24A (Ta), 100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3mOhm @ 20A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 2.62W (Ta), 65.2W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 250µA

Supplier Device Package： PowerDI3333-8

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 40.1 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2798 pF @ 20 V

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： 8-PowerVDFN

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 24A (Ta), 100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3mOhm @ 20A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 2.62W (Ta), 65.2W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 250µA

Supplier Device Package： PowerDI3333-8

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 40.1 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2798 pF @ 20 V