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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG1016UDW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT363 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.385875 +10：￥0.3087 +100：￥0.270113 +500：￥0.259088 +1000：￥0.248063	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.07A，845mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60.67pF 10V 功率 - 最大值： 330mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMG1016UDW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT363 下载数据手册射频晶体管	+20：￥0.776336 +100：￥0.525019 +800：￥0.385385 +3000：￥0.279268 +6000：￥0.265353	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.07A，845mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60.67pF 10V 功率 - 最大值： 330mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMG1016UDW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT363 下载数据手册射频晶体管	+10：￥0.70301 +100：￥0.468754 +300：￥0.390588	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.07A，845mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60.67pF 10V 功率 - 最大值： 330mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	DMG1016UDW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT363 下载数据手册未分类	+5：￥0.450029 +50：￥0.391772 +150：￥0.362644 +500：￥0.340798 +3000：￥0.323322	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.07A，845mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60.67pF 10V 功率 - 最大值： 330mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG1016UDW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT363 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.386837	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.07A，845mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60.67pF 10V 功率 - 最大值： 330mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG1016UDW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT363 下载数据手册未分类	+3000：￥3.052718	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.07A，845mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60.67pF 10V 功率 - 最大值： 330mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMG1016UDW-7 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	DMG1016UDW-7 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.928988 +150：￥0.893257 +6000：￥0.786066 +24000：￥0.771732 +45000：￥0.714605	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	DMG1016UDW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT363 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.07A，845mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60.67pF 10V 功率 - 最大值： 330mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG1016UDW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT363 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.479395 +6000：￥0.458369 +9000：￥0.3964 +30000：￥0.388982 +75000：￥0.322108	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.07A，845mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60.67pF 10V 功率 - 最大值： 330mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	DMG1016UDW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT363 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.172726 +6000：￥1.12129 +9000：￥0.9697 +30000：￥0.951554 +75000：￥0.787962	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.07A，845mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60.67pF 10V 功率 - 最大值： 330mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMG1016UDW-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.07A，845mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	450 毫欧 600mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.74nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	60.67pF 10V
功率 - 最大值:	330mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装:	SOT-363
温度:	-55°C # 150°C（TJ）