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	DMC3400SDW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V SOT363 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.366969 +30：￥0.353296 +100：￥0.339623 +500：￥0.312277 +1000：￥0.298604	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 650mA，450mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 590mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.6V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.4nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 55pF 15V 功率 - 最大值： 310mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMC3400SDW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V SOT363 下载数据手册射频晶体管	+20：￥0.67968 +100：￥0.587376 +300：￥0.389088 +800：￥0.320976 +3000：￥0.232992	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 650mA，450mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 590mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.6V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.4nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 55pF 15V 功率 - 最大值： 310mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	DMC3400SDW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V SOT363 下载数据手册未分类	+5：￥0.516512 +50：￥0.427688 +150：￥0.383276 +500：￥0.349968 +2500：￥0.323322	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 650mA，450mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 590mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.6V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.4nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 55pF 15V 功率 - 最大值： 310mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMC3400SDW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V SOT363 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.282293 +100：￥0.273944	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 650mA，450mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 590mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.6V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.4nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 55pF 15V 功率 - 最大值： 310mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMC3400SDW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V SOT363 下载数据手册未分类	+3000：￥0.313494	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 650mA，450mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 590mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.6V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.4nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 55pF 15V 功率 - 最大值： 310mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC3400SDW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V SOT363 下载数据手册未分类	+3000：￥0.346118 +9000：￥0.34299 +30000：￥0.33975 +60000：￥0.336622 +120000：￥0.333381	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 650mA，450mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 590mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.6V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.4nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 55pF 15V 功率 - 最大值： 310mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC3400SDW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V SOT363 下载数据手册射频晶体管	+45000：￥0.531326 +75000：￥0.509117	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 650mA，450mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 590mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.6V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.4nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 55pF 15V 功率 - 最大值： 310mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC3400SDW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V SOT363 下载数据手册射频晶体管	+9000：￥0.476247 +30000：￥0.45321 +60000：￥0.438856 +120000：￥0.416397	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 650mA，450mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 590mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.6V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.4nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 55pF 15V 功率 - 最大值： 310mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMC3400SDW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V SOT363 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.54238 +6000：￥0.488115	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 650mA，450mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 590mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.6V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.4nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 55pF 15V 功率 - 最大值： 310mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	DMC3400SDW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V SOT363 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.93723 +6000：￥0.843461	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 650mA，450mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 590mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.6V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.4nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 55pF 15V 功率 - 最大值： 310mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMC3400SDW-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	650mA，450mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	400 毫欧 590mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.6V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	1.4nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	55pF 15V
功率 - 最大值:	310mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装:	SOT-363
温度:	-55°C # 150°C（TJ）