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	DMC2400UV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT563 下载数据手册射频晶体管	+10：￥0.496233 +50：￥0.456025 +200：￥0.42252 +600：￥0.389015 +1500：￥0.362214	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.03A，700mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 200mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 37.1pF 10V 功率 - 最大值： 450mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMC2400UV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT563 下载数据手册射频晶体管	+20：￥1.045872 +100：￥0.903744 +300：￥0.598608 +800：￥0.493776 +3000：￥0.358416	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.03A，700mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 200mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 37.1pF 10V 功率 - 最大值： 450mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMC2400UV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT563 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.332024	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.03A，700mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 200mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 37.1pF 10V 功率 - 最大值： 450mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMC2400UV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT563 下载数据手册未分类	+1：￥6.084202 +10：￥5.950452 +30：￥5.822462 +100：￥5.69992 +500：￥5.414929	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.03A，700mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 200mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 37.1pF 10V 功率 - 最大值： 450mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC2400UV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT563 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.3415 +10：￥0.32182 +100：￥0.305613 +500：￥0.288249	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.03A，700mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 200mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 37.1pF 10V 功率 - 最大值： 450mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC2400UV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT563 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.333396 +1000：￥0.325061 +3000：￥0.319505 +5000：￥0.313948	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.03A，700mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 200mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 37.1pF 10V 功率 - 最大值： 450mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC2400UV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT563 下载数据手册射频晶体管	+100：￥0.301662 +300：￥0.294099 +500：￥0.289021 +700：￥0.289021	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.03A，700mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 200mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 37.1pF 10V 功率 - 最大值： 450mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC2400UV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT563 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.307928 +5000：￥0.305228 +6000：￥0.299825	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.03A，700mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 200mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 37.1pF 10V 功率 - 最大值： 450mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMC2400UV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT563 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.344339 +6000：￥0.338613 +9000：￥0.332887 +12000：￥0.32716	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.03A，700mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 200mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 37.1pF 10V 功率 - 最大值： 450mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMC2400UV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SOT563 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.518731 +6000：￥0.495938 +9000：￥0.428934 +30000：￥0.420856 +75000：￥0.348513	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.03A，700mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 200mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 37.1pF 10V 功率 - 最大值： 450mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMC2400UV-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.03A，700mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	480 毫欧 200mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	900mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.5nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	37.1pF 10V
功率 - 最大值:	450mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-563，SOT-666
供应商器件封装:	SOT-563
温度:	-55°C # 150°C（TJ）