DMTH6004SPSQ-13厂家价格_数据手册

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	DMTH6004SPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.031543 +10：￥6.720271 +30：￥5.999071 +100：￥5.190453 +500：￥4.829853	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4556 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），167W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	DMTH6004SPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥5.23478	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4556 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），167W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	DMTH6004SPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥5.482744	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4556 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），167W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	DMTH6004SPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8 下载数据手册	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4556 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），167W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	DMTH6004SPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥7.883414	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4556 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），167W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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DMTH6004SPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥13.622513	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4556 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），167W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
DMTH6004SPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PowerDI5060-8
DMTH6004SPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PowerDI5060-8
DMTH6004SPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060 下载数据手册未分类	+2500：￥12.295067 +5000：￥11.832937	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： 8-PowerTDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 25A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3.1mOhm @ 50A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.1W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 95.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 4556 pF @ 30 V
DMTH6004SPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060 下载数据手册未分类	+1：￥27.272006 +10：￥22.651956 +100：￥18.026922 +500：￥15.253396 +1000：￥12.94225	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 8-PowerTDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 25A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3.1mOhm @ 50A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.1W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 95.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 4556 pF @ 30 V

DMTH6004SPSQ-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	25A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.1 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	95.4 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4556 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.1W（Ta），167W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PowerDI5060-8
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）