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自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH43M8LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 22A PWRDI5060 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.403638 +5000：￥2.289185 +12500：￥2.246037	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2693 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.7W（Ta），83W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH43M8LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 22A PWRDI5060 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥5.879936 +5000：￥5.599954 +12500：￥5.494402	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2693 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.7W（Ta），83W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH43M8LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 22A PWRDI5060 下载数据手册未分类	+2500：￥7.099916	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2693 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.7W（Ta），83W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH43M8LPS-13 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 40V 22A 8-Pin PowerDI EP T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥4.378524	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH43M8LPS-13 DIODES(美台) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 40V, 100A, POWERDI 5060 下载数据手册未分类	+1：￥11.004788 +10：￥9.255861 +100：￥6.659376 +500：￥5.771461 +1000：￥5.139154	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH43M8LPS-13 DIODES(美台) 授权代理品牌	Days to ship 8 下载数据手册未分类	+80：￥9.357716	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH43M8LPS-13 DIODES(美台) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 40V, 100A, POWERDI 5060 下载数据手册未分类	+1：￥11.901329 +10：￥10.007651 +100：￥7.185945 +500：￥6.057263 +1000：￥5.229562	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH43M8LPS-13 DIODES(美台) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+39：￥8.264076 +900：￥7.865809 +2000：￥7.567106 +5000：￥7.268406 +14000：￥7.069273	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMTH43M8LPS-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	22A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.3 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	38.5 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2693 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.7W（Ta），83W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PowerDI5060-8
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）