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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP6110SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+10：￥3.801094 +200：￥2.570524 +800：￥1.886874 +2500：￥1.3673 +5000：￥1.298935	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 969pF 30V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMP6110SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+5：￥4.186721 +50：￥2.791228 +150：￥2.325983	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 969pF 30V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP6110SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+5：￥2.536765 +50：￥1.99674 +150：￥1.765301 +500：￥1.476493 +2500：￥1.347988	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 969pF 30V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP6110SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.242372	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 969pF 30V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP6110SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥1.371788 +5000：￥1.272038 +7500：￥1.231201	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 969pF 30V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP6110SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥3.355756 +5000：￥3.111742 +7500：￥3.011843	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 969pF 30V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMP6110SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥11.32099 +10：￥7.557526 +100：￥5.184708 +500：￥4.103094 +1000：￥3.746483	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
	DMP6110SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥11.32099 +10：￥7.557526 +100：￥5.184708 +500：￥4.103094 +1000：￥3.746483	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP6110SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO 下载数据手册未分类	+1：￥9.618078 +10：￥8.075871 +100：￥5.621601 +500：￥4.460799 +1000：￥4.06281	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 969pF 30V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP6110SSD-13 Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥2.813855 +5000：￥2.785995	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMP6110SSD-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	105 毫欧 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	17.2nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	969pF 30V
功率 - 最大值:	1.2W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）