DMP6110SSD-13厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 DMP6110SSD-13 共 8 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP6110SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+10：￥8.316864 +100：￥6.162336 +200：￥4.756896 +500：￥4.039056 +800：￥3.63312	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 969pF 30V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP6110SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 969pF 30V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP6110SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.242372	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 969pF 30V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP6110SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥1.642674 +5000：￥1.529437 +12500：￥1.472783 +25000：￥1.435037	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 969pF 30V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP6110SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥2.838535 +5000：￥2.642861 +12500：￥2.544964 +25000：￥2.479739	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 969pF 30V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMP6110SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥7.339306 +10：￥6.463324 +100：￥4.952848 +500：￥3.915402 +1000：￥3.132226	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
	DMP6110SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥7.339306 +10：￥6.463324 +100：￥4.952848 +500：￥3.915402 +1000：￥3.132226	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP6110SSD-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO 下载数据手册未分类	+1：￥8.435393 +10：￥7.428589 +100：￥5.700694 +500：￥4.503412 +1000：￥3.60545	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 969pF 30V 功率 - 最大值： 1.2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMP6110SSD-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	105 毫欧 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	17.2nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	969pF 30V
功率 - 最大值:	1.2W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）