DMG3415UFY4Q-7厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG3415UFY4Q-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥2.817243 +100：￥1.905145 +800：￥1.398518 +3000：￥1.013375 +6000：￥0.962676	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 16 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 39 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 282 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 650mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X2-DFN2015-3 封装/外壳： 3-XDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMG3415UFY4Q-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥2.45751 +50：￥2.088944 +150：￥1.720257 +500：￥1.413038 +3000：￥1.228755	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 16 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 39 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 282 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 650mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X2-DFN2015-3 封装/外壳： 3-XDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG3415UFY4Q-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.798194 +6000：￥0.757616 +9000：￥0.703455 +30000：￥0.687248 +75000：￥0.669698	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 16 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 39 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 282 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 650mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X2-DFN2015-3 封装/外壳： 3-XDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMG3415UFY4Q-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.952593 +6000：￥1.85333 +9000：￥1.720836 +30000：￥1.681189 +75000：￥1.638261	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 16 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 39 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 282 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 650mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X2-DFN2015-3 封装/外壳： 3-XDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG3415UFY4Q-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.847364 +10：￥4.948867 +100：￥3.441389 +500：￥2.687222 +1000：￥2.184204	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-XDFN 供应商器件封装： X2-DFN2015-3
DMG3415UFY4Q-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.847364 +10：￥4.948867 +100：￥3.441389 +500：￥2.687222 +1000：￥2.184204	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-XDFN 供应商器件封装： X2-DFN2015-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG3415UFY4Q-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015 下载数据手册未分类	+1：￥6.358319 +10：￥5.331205 +100：￥3.81499 +500：￥2.983519 +1000：￥2.461811	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 16 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 39 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 282 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 650mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X2-DFN2015-3 封装/外壳： 3-XDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG3415UFY4Q-7 Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive 3-Pin X2-DFN T/R 下载数据手册未分类	+1：￥6.060131 +10：￥5.080731 +100：￥3.635768 +500：￥2.843218 +1000：￥2.34651	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMG3415UFY4Q-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	16 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	39 毫欧 4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	10 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	282 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	650mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	X2-DFN2015-3
封装/外壳:	3-XDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）