搜索 DMTH6004SK3Q-13 共 8 条相关记录
自营 现货库存
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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DMTH6004SK3Q-13 授权代理品牌 | MOSFET N-CH 60V 100A TO252 | +1: ¥8.496854 +10: ¥7.236505 +30: ¥6.553816 +100: ¥5.776601 +500: ¥5.272461 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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DMTH6004SK3Q-13 授权代理品牌 | +2500: ¥5.839527 |
Digi-Key
Mouser
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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DMTH6004SK3Q-13 授权代理品牌 | MOSFET N-CH 60V 100A TO252 | +1: ¥22.18764 +10: ¥18.225562 +100: ¥14.105 +500: ¥11.965478 +1000: ¥9.746715 |
艾睿
DMTH6004SK3Q-13参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Diodes Incorporated |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | Automotive, AEC-Q101 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 100A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 3.8 毫欧 90A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 95.4 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 4556 pF 30 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 3.9W(Ta),180W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | TO-252-3 |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
温度: | -55°C # 175°C(TJ) |