DMTH6004SK3Q-13厂家价格_数据手册

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	DMTH6004SK3Q-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.705224 +10：￥7.399392 +30：￥6.093681 +100：￥5.440765 +500：￥5.005528	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4556 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.9W（Ta），180W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH6004SK3Q-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A TO252 下载数据手册未分类	+1：￥7.496107 +10：￥6.250398 +30：￥5.572908 +100：￥4.797072 +500：￥4.316272	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4556 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.9W（Ta），180W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH6004SK3Q-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A TO252 下载数据手册未分类	+2500：￥5.839527	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4556 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.9W（Ta），180W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	DMTH6004SK3Q-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.425644 +5000：￥3.254362 +12500：￥3.132017	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4556 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.9W（Ta），180W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMTH6004SK3Q-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥8.380032 +5000：￥7.961031 +12500：￥7.661744	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4556 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.9W（Ta），180W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
DMTH6004SK3Q-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.816728 +10：￥17.658605 +100：￥13.767197 +500：￥11.372901 +1000：￥8.978606	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD 供应商器件封装： TO-252-4L
DMTH6004SK3Q-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.816728 +10：￥17.658605 +100：￥13.767197 +500：￥11.372901 +1000：￥8.978606	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD 供应商器件封装： TO-252-4L

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH6004SK3Q-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A TO252 下载数据手册未分类	+1：￥22.873883 +10：￥18.789261 +100：￥14.541255 +500：￥12.335558 +1000：￥10.048171	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4556 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.9W（Ta），180W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH6004SK3Q-13 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥10.621535 +5000：￥10.515997 +10000：￥10.410461 +15000：￥10.30618 +20000：￥10.203156	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMTH6004SK3Q-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.8 毫欧 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	95.4 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4556 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.9W（Ta），180W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252-3
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）