DMP3130LQ-7厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3130LQ-7 UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	DMP3130LQ-7 UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+10：￥1.256357 +100：￥0.440146 +1000：￥0.312403	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	DMP3130LQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23 下载数据手册未分类	+1：￥1.161602 +50：￥0.881663 +1500：￥0.791547 +3000：￥0.713763 +18000：￥0.701537	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 77 毫欧 4.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 864 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMP3130LQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.935226	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 77 毫欧 4.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 864 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMP3130LQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.616069	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 77 毫欧 4.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 864 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP3130LQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.682043 +10：￥4.604822 +100：￥3.134593 +500：￥2.350709 +1000：￥1.762973	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23
DMP3130LQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.682043 +10：￥4.604822 +100：￥3.134593 +500：￥2.350709 +1000：￥1.762973	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3130LQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23 下载数据手册未分类	+1：￥6.530627 +10：￥5.292529 +100：￥3.60545 +500：￥2.707489 +1000：￥2.027216	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 77 毫欧 4.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 864 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3130LQ-7 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥7.774112 +6000：￥7.695805	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	DMP3130LQ-7 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R 下载数据手册未分类	+1：￥1.896197	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMP3130LQ-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	77 毫欧 4.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	24 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	864 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	700mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）