DMN3300U-7厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3300U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥1.387628 +200：￥0.938355 +800：￥0.688853 +3000：￥0.499125 +6000：￥0.474199	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 193 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3300U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥0.724337 +10：￥0.586763 +30：￥0.517977 +100：￥0.466386 +500：￥0.425114	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 193 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3300U-7 UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	DMN3300U-7 UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+10：￥1.256357 +100：￥0.42792 +1000：￥0.300387	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	DMN3300U-7 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	DMN3300U-7 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.385761 +300：￥0.36974 +30000：￥0.353614 +51000：￥0.347185 +99000：￥0.321467	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3300U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.814785 +6000：￥0.765392	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 193 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN3300U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.99318 +6000：￥1.872352	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 193 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3300U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.968186 +10：￥5.672103 +100：￥3.865949 +500：￥2.899324 +1000：￥2.174354	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3
DMN3300U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.968186 +10：￥5.672103 +100：￥3.865949 +500：￥2.899324 +1000：￥2.174354	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3300U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥7.526274 +10：￥6.461235 +100：￥4.828176 +500：￥3.791538 +1000：￥2.939507	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 193 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN3300U-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	150 毫欧 4.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	193 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	700mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）