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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMPH4023SK3-13_晶体管-FET,MOSFET-单个
DMPH4023SK3-13
授权代理品牌

MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R

晶体管-FET,MOSFET-单个

+1:

¥5.649399

+200:

¥2.261945

+500:

¥2.185454

+1000:

¥2.141745

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 26 毫欧 10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 18.7 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1091 pF 20 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.1W(Ta)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252,(D-Pak)

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMPH4023SK3-13_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R

晶体管-FET,MOSFET-单个

+2500:

¥4.234679

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 26 毫欧 10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 18.7 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1091 pF 20 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.1W(Ta)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252,(D-Pak)

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 175°C(TJ)

DMPH4023SK3-13_未分类
DMPH4023SK3-13
授权代理品牌

MOSFET P-CH 40V 50A TO252 T&R

未分类

+2500:

¥4.260703

+5000:

¥4.036529

+12500:

¥3.737491

+25000:

¥3.700486

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Tape & Reel (TR)

Package / Case: TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA

Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)

Grade: Automotive

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 20 V

Qualification: AEC-Q101

DMPH4023SK3-13_未分类
DMPH4023SK3-13
授权代理品牌

MOSFET P-CH 40V 50A TO252 T&R

未分类

+1:

¥11.144318

+10:

¥9.71556

+100:

¥6.728026

+500:

¥5.62131

+1000:

¥4.784058

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Cut Tape (CT)

Package / Case: TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA

Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)

Grade: Automotive

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 20 V

Qualification: AEC-Q101

DMPH4023SK3-13_未分类
DMPH4023SK3-13
授权代理品牌

MOSFET P-CH 40V 50A TO252 T&R

未分类

+1:

¥11.144318

+10:

¥9.71556

+100:

¥6.728026

+500:

¥5.62131

+1000:

¥4.784058

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Digi-Reel®

Package / Case: TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA

Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)

Grade: Automotive

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 20 V

Qualification: AEC-Q101

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMPH4023SK3-13_晶体管
DMPH4023SK3-13
授权代理品牌

MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R

晶体管

+1:

¥12.73963

+10:

¥11.106344

+100:

¥7.692778

+500:

¥6.435148

+1000:

¥5.471508

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 26 毫欧 10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 18.7 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1091 pF 20 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.1W(Ta)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252,(D-Pak)

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 175°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMPH4023SK3-13_未分类
DMPH4023SK3-13
授权代理品牌

DiodesZetex P沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 50 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, DMPH4023SK3-13

未分类

+2500:

¥3.477909

+5000:

¥3.374144

+10000:

¥3.272765

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
DMPH4023SK3-13_未分类
DMPH4023SK3-13
授权代理品牌

DiodesZetex P沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 50 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, DMPH4023SK3-13

未分类

+630:

¥5.156036

+1250:

¥4.999792

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

DMPH4023SK3-13参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 26 毫欧 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 18.7 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1091 pF 20 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.1W(Ta)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252,(D-Pak)
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
温度: -55°C # 175°C(TJ)