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Digi-Key
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DMT12H090LFDF4-13_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥4.010458

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 115 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.4A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 3V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 90 毫欧 3.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6 nC 10 V

Vgs(最大值): ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 251 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 900mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: X2-DFN2020-6

封装/外壳: 6-PowerXDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
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DMT12H090LFDF4-13_未分类
DMT12H090LFDF4-13
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MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN

未分类

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 115 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.4A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 3V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 90 毫欧 3.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6 nC 10 V

Vgs(最大值): ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 251 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 900mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: X2-DFN2020-6

封装/外壳: 6-PowerXDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

DMT12H090LFDF4-13参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 115 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 3V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 90 毫欧 3.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6 nC 10 V
Vgs(最大值): ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 251 pF 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 900mW(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: X2-DFN2020-6
封装/外壳: 6-PowerXDFN
温度: -55°C # 150°C(TJ)