DMN2020LSN-7厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2020LSN-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥1.415942 +200：￥1.058992 +800：￥0.820985 +3000：￥0.594957 +15000：￥0.535425	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 9.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1149 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 610mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2020LSN-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3 下载数据手册未分类	+1：￥0.384869 +10：￥0.37568 +30：￥0.369555 +100：￥0.363428	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 9.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1149 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 610mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMN2020LSN-7 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	DMN2020LSN-7 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.372902 +50：￥0.366473 +500：￥0.353614 +5000：￥0.344023 +30000：￥0.321467	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	DMN2020LSN-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3 下载数据手册未分类	+1：￥1.309372 +30：￥0.643356 +100：￥0.574637 +500：￥0.547233 +1500：￥0.536587	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 9.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1149 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 610mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2020LSN-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.758793 +6000：￥0.712794	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 9.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1149 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 610mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN2020LSN-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.856209 +6000：￥1.743683	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 9.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1149 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 610mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN2020LSN-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.48933 +10：￥5.282314 +100：￥3.60028 +500：￥2.700081 +1000：￥2.024931	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SC-59-3
DMN2020LSN-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.48933 +10：￥5.282314 +100：￥3.60028 +500：￥2.700081 +1000：￥2.024931	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SC-59-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2020LSN-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3 下载数据手册未分类	+1：￥6.043158 +10：￥4.540536 +100：￥2.515261 +1000：￥1.910946 +3000：￥1.616955	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 9.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1149 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 610mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2020LSN-7 Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥1.497494	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMN2020LSN-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	20 毫欧 9.4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	11.6 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1149 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	610mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SC-59-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）