DMN2050L-7厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2050L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥5.54472 +100：￥4.10832 +200：￥3.171456 +500：￥2.6928 +800：￥2.422224	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 532 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2050L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3 下载数据手册未分类	+5：￥1.280129 +50：￥1.042353 +150：￥0.940401 +500：￥0.813208 +3000：￥0.756604	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 532 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2050L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.707552	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 532 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2050L-7 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	DMN2050L-7 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.250323 +1000：￥0.237464 +45000：￥0.231036 +69000：￥0.224712 +99000：￥0.216068	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2050L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.022664 +6000：￥0.960668	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 532 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN2050L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.76716 +6000：￥1.660031	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 532 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN2050L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.17801 +10：￥5.0289 +100：￥3.42756 +500：￥2.570546 +1000：￥1.927787	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3
DMN2050L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.867805 +10：￥1.424975 +30：￥1.34361 +100：￥1.262244 +500：￥1.226098	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2050L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3 下载数据手册	+1：￥6.495571 +10：￥5.6559 +100：￥4.230043 +500：￥3.311159 +1000：￥2.566543	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 532 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2050L-7 Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R 下载数据手册未分类	+1：￥5.017576 +10：￥4.055584 +25：￥4.017549 +100：￥2.768702 +250：￥2.744929	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMN2050L-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	29 毫欧 5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	6.7 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	532 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.4W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）