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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3730U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.609138 +10：￥0.586572 +100：￥0.532424 +500：￥0.505357	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 750mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 460 毫欧 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64.3 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 450mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMN3730U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.888912 +100：￥0.768096 +300：￥0.508896 +800：￥0.41976 +3000：￥0.304704	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 750mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 460 毫欧 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64.3 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 450mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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DMN3730U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23 下载数据手册未分类	+200：￥0.424127	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 750mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 460 毫欧 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64.3 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 450mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3730U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23 下载数据手册未分类	+3000：￥0.527109	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 750mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 460 毫欧 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64.3 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 450mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3730U-7 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	DMN3730U-7 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.385761 +300：￥0.36974 +30000：￥0.353614 +51000：￥0.347185 +99000：￥0.321467	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
DMN3730U-7 授权代理品牌	DMN3730U-7 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+30：￥0.330618 +300：￥0.322283 +1000：￥0.316726 +2000：￥0.31117 +3000：￥0.301909	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
DMN3730U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.583906 +200：￥0.376344 +1500：￥0.327608 +3000：￥0.290101	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 750mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 460 毫欧 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64.3 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 450mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3730U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.389888 +6000：￥0.380049 +9000：￥0.37345	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 750mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 460 毫欧 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64.3 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 450mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3730U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥0.273895 +300：￥0.267064 +500：￥0.262434 +700：￥0.262434	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 750mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 460 毫欧 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64.3 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 450mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMN3730U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.906393 +6000：￥0.8687 +9000：￥0.781816 +30000：￥0.770245 +75000：￥0.723965	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 750mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 460 毫欧 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64.3 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 450mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN3730U-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	750mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	460 毫欧 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	950mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	1.6 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	64.3 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	450mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN3730U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23 下载数据手册未分类	+200：￥0.424127	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 750mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 460 毫欧 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64.3 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 450mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3730U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23 下载数据手册未分类	+3000：￥0.527109	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 750mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 460 毫欧 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64.3 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 450mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3730U-7 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	DMN3730U-7 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.385761 +300：￥0.36974 +30000：￥0.353614 +51000：￥0.347185 +99000：￥0.321467	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
DMN3730U-7 授权代理品牌	DMN3730U-7 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+30：￥0.330618 +300：￥0.322283 +1000：￥0.316726 +2000：￥0.31117 +3000：￥0.301909	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
DMN3730U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.583906 +200：￥0.376344 +1500：￥0.327608 +3000：￥0.290101	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 750mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 460 毫欧 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64.3 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 450mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3730U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.389888 +6000：￥0.380049 +9000：￥0.37345	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 750mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 460 毫欧 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64.3 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 450mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3730U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥0.273895 +300：￥0.267064 +500：￥0.262434 +700：￥0.262434	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 750mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 460 毫欧 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64.3 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 450mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）