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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG302PU-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥3.171168 +100：￥2.695536 +200：￥2.21976 +500：￥1.982016 +800：￥1.823472	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.35 nC 4.5 V Vgs（最大值）： -8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27.2 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMG302PU-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.981119	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.35 nC 4.5 V Vgs（最大值）： -8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27.2 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMG302PU-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.695371	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.35 nC 4.5 V Vgs（最大值）： -8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27.2 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG302PU-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3
DMG302PU-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3
DMG302PU-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23-3 下载数据手册未分类	+3000：￥1.489056 +6000：￥1.427126 +9000：￥1.284452 +30000：￥1.265387 +75000：￥1.189376	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 10Ohm @ 200mA, 4.5V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 330mW Vgs(th) (Max) @ Id： 1.5V @ 250µA Supplier Device Package： SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 2.7V, 4.5V Vgs (Max)： -8V Drain to Source Voltage (Vdss)： 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 0.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 27.2 pF @ 10 V
DMG302PU-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥5.482716 +10：￥4.286488 +100：￥2.5694 +500：￥2.378503 +1000：￥1.617526	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 10Ohm @ 200mA, 4.5V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 330mW Vgs(th) (Max) @ Id： 1.5V @ 250µA Supplier Device Package： SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 2.7V, 4.5V Vgs (Max)： -8V Drain to Source Voltage (Vdss)： 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 0.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 27.2 pF @ 10 V
DMG302PU-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥5.482716 +10：￥4.286488 +100：￥2.5694 +500：￥2.378503 +1000：￥1.617526	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 10Ohm @ 200mA, 4.5V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 330mW Vgs(th) (Max) @ Id： 1.5V @ 250µA Supplier Device Package： SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 2.7V, 4.5V Vgs (Max)： -8V Drain to Source Voltage (Vdss)： 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 0.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 27.2 pF @ 10 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG302PU-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23 下载数据手册晶体管	+1：￥6.970856 +10：￥5.449943 +100：￥3.025985 +1000：￥2.059572 +3000：￥1.7744	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.35 nC 4.5 V Vgs（最大值）： -8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27.2 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMG302PU-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	170mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.7V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	10 欧姆 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.35 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	27.2 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	330mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）