DMP2104V-7厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2104V-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.1A SOT563 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.019619 +10：￥0.941186 +30：￥0.925505 +100：￥0.878448	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 950mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 320 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 850mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-563 封装/外壳： SOT-563，SOT-666 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMP2104V-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.1A SOT563 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥1.990368 +100：￥1.691856 +200：￥1.3932 +500：￥1.244016 +800：￥1.144512	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 950mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 320 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 850mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-563 封装/外壳： SOT-563，SOT-666 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	DMP2104V-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.1A SOT563 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.990384 +10：￥0.856727 +30：￥0.789901 +100：￥0.739779 +500：￥0.699683	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 950mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 320 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 850mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-563 封装/外壳： SOT-563，SOT-666 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMP2104V-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.1A SOT563 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.14587	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 950mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 320 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 850mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-563 封装/外壳： SOT-563，SOT-666 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMP2104V-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.1A SOT563 下载数据手册未分类	+1：￥1.874311 +30：￥0.920977 +100：￥0.822534 +500：￥0.783431 +1500：￥0.768044	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 950mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 320 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 850mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-563 封装/外壳： SOT-563，SOT-666 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMP2104V-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.1A SOT563 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.871606 +6000：￥0.818814	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 950mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 320 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 850mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-563 封装/外壳： SOT-563，SOT-666 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMP2104V-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.1A SOT563 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.506133 +6000：￥1.414907	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 950mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 320 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 850mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-563 封装/外壳： SOT-563，SOT-666 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP2104V-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.1A SOT563 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.306466 +10：￥4.290334 +100：￥2.920814 +500：￥2.190781 +1000：￥1.643086	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 供应商器件封装： SOT-563
DMP2104V-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.1A SOT563 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.306466 +10：￥4.290334 +100：￥2.920814 +500：￥2.190781 +1000：￥1.643086	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 供应商器件封装： SOT-563
DMP2104V-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+121：￥1.375867 +1000：￥1.348938	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 供应商器件封装： SOT-563

DMP2104V-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	150 毫欧 950mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	320 pF 16 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	850mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-563
封装/外壳:	SOT-563，SOT-666
温度:	-55°C # 150°C（TJ）