搜索 DMJ65H650SCTI 共 3 条相关记录
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| 授权代理品牌 | +50： ￥20.25028 |
Mouser
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
 | DMJ65H650SCTI 授权代理品牌 | +1： ￥27.922994 +10： ￥25.276265 +50： ￥23.688227 +100： ￥20.247479 +500： ￥16.542058 |
艾睿
DMJ65H650SCTI参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Diodes Incorporated |
| 包装: | 管件 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 10A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 600 毫欧 2.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 12.9 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 639 pF 100 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 31W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | ITO-220AB（TH 类） |
| 封装/外壳: | TO-220-3 全封装，隔离接片 |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |