DMP6023LFGQ-13厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP6023LFGQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥7.364665 +200：￥4.980481 +800：￥3.655894 +3000：￥2.649174 +6000：￥2.516679	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2569 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 155°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 155°C（TJ）

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DMP6023LFGQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.715195 +10：￥5.443153 +100：￥5.183845 +500：￥4.375823	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2569 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 155°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 155°C（TJ）
DMP6023LFGQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.346737 +10：￥2.304832 +100：￥2.262925 +1000：￥2.241973 +3000：￥2.22102	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2569 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 155°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 155°C（TJ）
DMP6023LFGQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.514362 +6000：￥2.472456 +9000：￥2.409597 +15000：￥2.36769	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2569 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 155°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 155°C（TJ）
DMP6023LFGQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥15.28065 +9000：￥15.025973 +15000：￥14.643956 +30000：￥14.389279	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2569 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 155°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 155°C（TJ）

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	DMP6023LFGQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2569 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 155°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 155°C（TJ）

自营国内现货

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	DMP6023LFGQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.765782	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2569 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 155°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 155°C（TJ）

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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMP6023LFGQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥4.31957	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2569 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 155°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 155°C（TJ）
DMP6023LFGQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 下载数据手册未分类	+3000：￥4.301851 +6000：￥4.075536 +9000：￥3.773639 +30000：￥3.736206	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： 8-PowerVDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 155°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 7.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 25mOhm @ 5A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： PowerDI3333-8 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2569 pF @ 30 V
DMP6023LFGQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 下载数据手册未分类	+1：￥11.287195 +10：￥9.815573 +100：￥6.79232 +500：￥5.675317 +1000：￥4.830206	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 8-PowerVDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 155°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 7.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 25mOhm @ 5A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： PowerDI3333-8 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2569 pF @ 30 V

DMP6023LFGQ-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	25 毫欧 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	53.1 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2569 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1W（Ta）
工作温度:	-55°C # 155°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PowerDI3333-8
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 155°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMP6023LFGQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.715195 +10：￥5.443153 +100：￥5.183845 +500：￥4.375823	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2569 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 155°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 155°C（TJ）
DMP6023LFGQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.346737 +10：￥2.304832 +100：￥2.262925 +1000：￥2.241973 +3000：￥2.22102	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2569 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 155°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 155°C（TJ）
DMP6023LFGQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.514362 +6000：￥2.472456 +9000：￥2.409597 +15000：￥2.36769	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2569 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 155°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 155°C（TJ）
DMP6023LFGQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥15.28065 +9000：￥15.025973 +15000：￥14.643956 +30000：￥14.389279	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2569 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 155°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 155°C（TJ）