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DZT2222A-13_双极性晶体管
DZT2222A-13
授权代理品牌

TRANS NPN 40V 0.6A SOT-223

双极性晶体管

+10:

¥1.254044

+200:

¥0.847605

+800:

¥0.621456

+2500:

¥0.452298

+5000:

¥0.429671

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 10nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 150mA,10V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: 300MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

DZT2222A-13_双极性晶体管
DZT2222A-13
授权代理品牌

TRANS NPN 40V 0.6A SOT-223

双极性晶体管

+5:

¥0.966427

+50:

¥0.805376

+150:

¥0.644204

+500:

¥0.536877

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 10nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 150mA,10V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: 300MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 现货库存
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DZT2222A-13_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS NPN 40V 0.6A SOT-223

双极性晶体管

+5:

¥0.798257

+50:

¥0.660983

+150:

¥0.592346

+500:

¥0.540869

+2500:

¥0.499687

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 10nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 150mA,10V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: 300MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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DZT2222A-13_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS NPN 40V 0.6A SOT-223

双极性晶体管

+1:

¥0.71511

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 10nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 150mA,10V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: 300MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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TRANS NPN 40V 0.6A SOT-223

双极性晶体管

+2500:

¥0.368339

+5000:

¥0.331505

+12500:

¥0.294671

+25000:

¥0.276254

+62500:

¥0.260618

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 10nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 150mA,10V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: 300MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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双极性晶体管

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¥0.901056

+5000:

¥0.810949

+12500:

¥0.720844

+25000:

¥0.675792

+62500:

¥0.63754

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 10nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 150mA,10V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: 300MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

DZT2222A-13_双极性晶体管
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TRANS NPN 40V 0.6A SOT-223

双极性晶体管

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¥4.816963

+10:

¥3.598556

+100:

¥2.041542

+500:

¥1.351584

+1000:

¥1.036214

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223

DZT2222A-13_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS NPN 40V 0.6A SOT-223

双极性晶体管

+5:

¥0.975357

+50:

¥0.727522

+150:

¥0.682001

+500:

¥0.63648

+2500:

¥0.616249

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223

Mouser
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DZT2222A-13_晶体管
DZT2222A-13
授权代理品牌

TRANS NPN 40V 0.6A SOT-223

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 10nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 150mA,10V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: 300MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

DZT2222A-13参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值): 10nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 150mA,10V
功率 - 最大值: 1 W
频率 - 跃迁: 300MHz
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装: SOT-223-3
温度: -55°C # 150°C(TJ)