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	DMP3098LQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.041874 +10：￥1.000519 +100：￥0.901294 +500：￥0.851681	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1008 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.08W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMP3098LQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥1.358346 +200：￥0.918511 +800：￥0.674212 +3000：￥0.488598 +6000：￥0.464156	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1008 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.08W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMP3098LQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥1.158454 +50：￥0.984698 +150：￥0.810942 +500：￥0.724064 +3000：￥0.666105	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1008 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.08W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMP3098LQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.709423 +100：￥0.666468	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1008 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.08W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMP3098LQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.662509 +10：￥0.615278 +100：￥0.598145 +500：￥0.574182 +1000：￥0.552071	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1008 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.08W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP3098LQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.536327 +1000：￥0.536327 +3000：￥0.536327 +5000：￥0.536327	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1008 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.08W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP3098LQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.217591 +200：￥0.786143 +1500：￥0.682768 +3000：￥0.604396 +45000：￥0.598956	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1008 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.08W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP3098LQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.826544	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1008 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.08W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP3098LQ-7 授权代理品牌	DMP3098LQ-7 UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+3000：￥0.520931 +6000：￥0.487592 +9000：￥0.455294	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

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	DMP3098LQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.581604 +6000：￥0.557483 +9000：￥0.501705 +30000：￥0.494288 +75000：￥0.464559	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1008 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.08W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMP3098LQ-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	70 毫欧 3.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1008 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.08W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMP3098LQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.662509 +10：￥0.615278 +100：￥0.598145 +500：￥0.574182 +1000：￥0.552071	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1008 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.08W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP3098LQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.536327 +1000：￥0.536327 +3000：￥0.536327 +5000：￥0.536327	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1008 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.08W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP3098LQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.217591 +200：￥0.786143 +1500：￥0.682768 +3000：￥0.604396 +45000：￥0.598956	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1008 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.08W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP3098LQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.826544	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1008 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.08W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP3098LQ-7 授权代理品牌	DMP3098LQ-7 UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+3000：￥0.520931 +6000：￥0.487592 +9000：￥0.455294	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数