 | DMP4015SK3Q-13 | MOSFET P-CH 40V 14A/35A TO252 未分类 | | | 品牌： Diodes Incorporated 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta），35A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 9.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47.5 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4234 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.5W（Ta） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| DMP4015SK3Q-13 | MOSFET P-CH 40V 14A/35A TO252 未分类 | | | 品牌： Diodes Incorporated 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta），35A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 9.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47.5 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4234 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.5W（Ta） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| DMP4015SK3Q-13 | MOSFET P-CH 40V 14A/35A TO252 未分类 | | | 品牌： Diodes Incorporated 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta），35A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 9.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47.5 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4234 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.5W（Ta） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| DMP4015SK3Q-13 | MOSFET P-CH 40V 14A/35A TO252 未分类 | | | 品牌： Diodes Incorporated 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta），35A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 9.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47.5 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4234 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.5W（Ta） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
![DMP4015SK3Q-13_未分类]() | DMP4015SK3Q-13 | DMP4015SK3Q-13 VBSEMI/台湾微碧半导体 未分类 | | | 暂无参数 |
| DMP4015SK3Q-13 | | | | 品牌： Diodes Incorporated 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta），35A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 9.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47.5 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4234 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.5W（Ta） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| DMP4015SK3Q-13 | | | | 品牌： Diodes Incorporated 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta），35A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 9.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47.5 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4234 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.5W（Ta） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| DMP4015SK3Q-13 | | | | 品牌： Diodes Incorporated 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta），35A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 9.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47.5 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4234 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.5W（Ta） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
