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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH6016LFVWQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 41A POWERDI3333 下载数据手册	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 41A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 939 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.17W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装，可润湿侧翼供应商器件封装： PowerDI3333-8（SWP）UX 类封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH6016LFVWQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 41A POWERDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.000023	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 41A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 939 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.17W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装，可润湿侧翼供应商器件封装： PowerDI3333-8（SWP）UX 类封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH6016LFVWQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 41A POWERDI3333 下载数据手册未分类	+1：￥8.877868 +10：￥7.831074 +100：￥6.002498 +500：￥4.756947 +1000：￥3.802907	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 41A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 939 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.17W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装，可润湿侧翼供应商器件封装： PowerDI3333-8（SWP）UX 类封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH6016LFVWQ-13 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 41A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥3.404478 +6000：￥3.316431 +9000：￥3.22966 +12000：￥3.199036 +15000：￥3.057395	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMTH6016LFVWQ-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	41A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	16 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	15.1 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	939 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.17W（Ta）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装，可润湿侧翼
供应商器件封装:	PowerDI3333-8（SWP）UX 类
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）