DMTH10H025SK3-13厂家价格_数据手册

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	DMTH10H025SK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.223545 +10：￥3.147054 +30：￥3.103345	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1544 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252，（D-Pak）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	DMTH10H025SK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥1.388797 +5000：￥1.293073 +12500：￥1.245154 +25000：￥1.197236	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1544 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252，（D-Pak）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMTH10H025SK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.397365 +5000：￥3.163198 +12500：￥3.045976 +25000：￥2.928755	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1544 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252，（D-Pak）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
DMTH10H025SK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 46.3A TO252 T&R 下载数据手册未分类	+2500：￥3.582024 +5000：￥3.325007 +7500：￥3.252949	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 46.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 23mOhm @ 20A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： TO-252 (DPAK) Grade： Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 21.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1544 pF @ 50 V Qualification： AEC-Q101
DMTH10H025SK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 46.3A TO252 T&R 下载数据手册未分类	+1：￥11.932935 +10：￥8.031783 +100：￥5.510568 +500：￥4.369598 +1000：￥3.993862	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 46.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 23mOhm @ 20A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： TO-252 (DPAK) Grade： Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 21.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1544 pF @ 50 V Qualification： AEC-Q101
DMTH10H025SK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 46.3A TO252 T&R 下载数据手册未分类	+1：￥11.932935 +10：￥8.031783 +100：￥5.510568 +500：￥4.369598 +1000：￥3.993862	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 46.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 23mOhm @ 20A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： TO-252 (DPAK) Grade： Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 21.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1544 pF @ 50 V Qualification： AEC-Q101

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH10H025SK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 下载数据手册未分类	+1：￥12.768827 +10：￥8.70602 +100：￥5.986426 +500：￥4.742707 +1000：￥4.344719	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1544 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252，（D-Pak）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH10H025SK3-13 Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 46.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥3.347838 +5000：￥3.236398 +12500：￥3.15901	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH10H025SK3-13 DIODES(美台) 授权代理品牌	Days to ship 8 下载数据手册未分类	+2500：￥2.304886	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMTH10H025SK3-13 DIODES(美台) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 100V, 46.3A, TO-252 下载数据手册未分类	+1：￥6.621822 +10：￥5.695518 +100：￥3.968088 +500：￥3.317172 +1000：￥3.091853	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMTH10H025SK3-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	46.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	23 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	21.4 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1544 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2W（Ta）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252，（D-Pak）
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）