DMT3020LFDF-7厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT3020LFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CHA 30V 8.4A DFN2020 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥4.87751 +100：￥3.29846 +800：￥2.42121 +3000：￥1.7545 +6000：￥1.666775	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 393 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta），1.8W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT3020LFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CHA 30V 8.4A DFN2020 下载数据手册	+1：￥4.710396 +10：￥4.052638 +30：￥3.723759 +100：￥3.479752 +500：￥3.235745	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 393 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta），1.8W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT3020LFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CHA 30V 8.4A DFN2020 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.40021 +6000：￥1.309863	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 393 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta），1.8W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMT3020LFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CHA 30V 8.4A DFN2020 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.425286 +6000：￥3.204272	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 393 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta），1.8W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMT3020LFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CHA 30V 8.4A DFN2020 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.633928 +10：￥8.288011 +100：￥6.186964 +500：￥4.861733 +1000：￥3.756807	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装： U-DFN2020-6 (Type F)
DMT3020LFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CHA 30V 8.4A DFN2020 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.538866 +10：￥4.838101 +30：￥4.524367 +100：￥4.210634 +500：￥4.062022	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装： U-DFN2020-6 (Type F)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT3020LFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CHA 30V 8.4A DFN2020 下载数据手册未分类	+1：￥9.300903 +10：￥8.001513 +100：￥5.977198 +500：￥4.705162 +1000：￥3.638295	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 393 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta），1.8W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMT3020LFDF-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	8.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	17 毫欧 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	7 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	393 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	700mW（Ta），1.8W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	U-DFN2020-6（F 类）
封装/外壳:	6-UDFN 裸露焊盘
温度:	-55°C # 150°C（TJ）