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	DMP3018SSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.5A（Ta），25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 11.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 57 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2714 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMP3018SSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+42：￥2.295907 +50：￥2.204067 +100：￥2.112228 +300：￥2.020388 +500：￥1.928549	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.5A（Ta），25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 11.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 57 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2714 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMP3018SSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+42：￥3.96732 +50：￥3.808622 +100：￥3.649924 +300：￥3.491225 +500：￥3.332526	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.5A（Ta），25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 11.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 57 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2714 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP3018SSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 10.5/25A 8SO T&R 下载数据手册未分类	+2500：￥3.065414 +5000：￥2.904065 +12500：￥2.68893 +25000：￥2.662416	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 10.5A (Ta), 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 12mOhm @ 11.5A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±25V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2714 pF @ 15 V
DMP3018SSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 10.5/25A 8SO T&R 下载数据手册未分类	+1：￥8.08017 +10：￥6.994397 +100：￥4.840528 +500：￥4.044125 +1000：￥3.4419	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 10.5A (Ta), 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 12mOhm @ 11.5A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±25V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2714 pF @ 15 V
DMP3018SSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 10.5/25A 8SO T&R 下载数据手册未分类	+1：￥8.08017 +10：￥6.994397 +100：￥4.840528 +500：￥4.044125 +1000：￥3.4419	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 10.5A (Ta), 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 12mOhm @ 11.5A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±25V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2714 pF @ 15 V

Mouser

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	DMP3018SSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2 下载数据手册晶体管	+1：￥10.273275 +10：￥8.892805 +100：￥6.163966 +500：￥5.15269 +1000：￥4.382195	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.5A（Ta），25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 11.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 57 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2714 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMP3018SSS-13 DIODES(美台) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+2500：￥1.748829	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	DMP3018SSS-13 DIODES(美台) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+2500：￥1.748829	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMP3018SSS-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10.5A（Ta），25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	12 毫欧 11.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	57 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2714 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.2W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SO
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）