DMP2008UFG-13厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 DMP2008UFG-13 共 5 条相关记录

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2008UFG-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 14A POWERDI 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.517576 +6000：￥1.419737 +15000：￥1.321755 +30000：￥1.253239	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta），54A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 12A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 72 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6909 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta），41W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMP2008UFG-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 14A POWERDI 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.622366 +6000：￥2.4533 +15000：￥2.283989 +30000：￥2.165593	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta），54A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 12A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 72 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6909 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta），41W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP2008UFG-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 14A POWERDI 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.430178 +10：￥6.346104 +100：￥4.737043 +500：￥3.722154 +1000：￥2.87621	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PowerDI3333-8
DMP2008UFG-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 14A POWERDI 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.430178 +10：￥6.346104 +100：￥4.737043 +500：￥3.722154 +1000：￥2.87621	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PowerDI3333-8

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2008UFG-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 14A POWERDI 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta），54A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 12A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 72 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6909 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta），41W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMP2008UFG-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	14A（Ta），54A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8 毫欧 12A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	72 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6909 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.4W（Ta），41W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PowerDI3333-8
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）