锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 DMT10H009LH33 条相关记录
Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMT10H009LH3_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+75:

¥8.561387

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 84A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20.2 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2309 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 96W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-251

封装/外壳: TO-251-3 短截引线,IPak

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMT10H009LH3_晶体管
DMT10H009LH3
授权代理品牌

MOSFET BVDSS: 61V-100V TO251

晶体管

+:

+:

+:

+:

+:

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 84A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20.2 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2309 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 96W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-251

封装/外壳: TO-251-3 短截引线,IPak

温度: -55°C # 150°C(TJ)

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMT10H009LH3_未分类
DMT10H009LH3
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 100V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

未分类

+75:

¥11.076043

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

DMT10H009LH3参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 84A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9 毫欧 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20.2 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2309 pF 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 96W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-251
封装/外壳: TO-251-3 短截引线,IPak
温度: -55°C # 150°C(TJ)