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DMP31D0U-7_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: P-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 530mA (Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V, 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1Ohm 400mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.9 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 76 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 450mW (Ta)

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: SOT-23-3

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key
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DMP31D0U-7_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: P-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 530mA (Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V, 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1Ohm 400mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.9 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 76 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 450mW (Ta)

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: SOT-23-3

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C (TJ)

DMP31D0U-7_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥3.805655

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库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23

DMP31D0U-7_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23

Mouser
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DMP31D0U-7_晶体管
DMP31D0U-7
授权代理品牌

MOSFET P-CH 30V 530MA SOT23

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: P-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 530mA (Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V, 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1Ohm 400mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.9 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 76 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 450mW (Ta)

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: SOT-23-3

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C (TJ)

DMP31D0U-7参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
FET 类型: P-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 530mA (Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V, 4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1Ohm 400mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.9 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 76 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 450mW (Ta)
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
供应商器件封装: SOT-23-3
封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
温度: -55°C # 150°C (TJ)