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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG4435SSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.347884 +100：￥2.241162	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 11A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1614 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMG4435SSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOP 下载数据手册未分类	+2500：￥0.790599	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 11A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1614 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG4435SSS-13 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	DMG4435SSS-13 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.393797 +4000：￥1.312534 +12000：￥1.277647 +20000：￥1.219572	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
DMG4435SSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOP 下载数据手册未分类	+10：￥5.252878 +100：￥3.88349 +500：￥2.93351 +1000：￥2.25658 +2500：￥2.061625	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 11A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1614 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG4435SSS-13 JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	DMG4435SSS-13 JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+4000：￥0.801455 +12000：￥0.787542 +20000：￥0.766567 +32000：￥0.731786	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
DMG4435SSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOP 下载数据手册未分类	+20：￥3.455815 +640：￥3.282644 +1260：￥3.184216	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 11A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1614 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG4435SSS-13 授权代理品牌	DMG4435SSS-13 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥1.553533 +50：￥1.488475 +100：￥1.423531 +8000：￥1.358473	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
DMG4435SSS-13 授权代理品牌	DMG4435SSS-13 BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥1.5386 +500：￥1.42029 +2000：￥1.301866 +6000：￥1.183556	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
DMG4435SSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥4.065	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 11A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1614 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMG4435SSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 11A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1614 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMG4435SSS-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	16 毫欧 11A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	35.4 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1614 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SO
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMG4435SSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOP 下载数据手册未分类	+2500：￥0.790599	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 11A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1614 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG4435SSS-13 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	DMG4435SSS-13 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.393797 +4000：￥1.312534 +12000：￥1.277647 +20000：￥1.219572	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
DMG4435SSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOP 下载数据手册未分类	+10：￥5.252878 +100：￥3.88349 +500：￥2.93351 +1000：￥2.25658 +2500：￥2.061625	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 11A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1614 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG4435SSS-13 JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	DMG4435SSS-13 JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+4000：￥0.801455 +12000：￥0.787542 +20000：￥0.766567 +32000：￥0.731786	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
DMG4435SSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOP 下载数据手册未分类	+20：￥3.455815 +640：￥3.282644 +1260：￥3.184216	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 11A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1614 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG4435SSS-13 授权代理品牌	DMG4435SSS-13 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥1.553533 +50：￥1.488475 +100：￥1.423531 +8000：￥1.358473	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
DMG4435SSS-13 授权代理品牌	DMG4435SSS-13 BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥1.5386 +500：￥1.42029 +2000：￥1.301866 +6000：￥1.183556	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
DMG4435SSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥4.065	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 11A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1614 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）