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DMTH3002LPS-13_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥10.146029

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¥9.723334

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¥9.300555

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¥8.877776

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.6 毫欧 25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 77 nC 10 V

Vgs(最大值): ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5000 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.2W(Ta),136W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PowerDI5060-8

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
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DMTH3002LPS-13_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥16.071328

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¥15.340766

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.6 毫欧 25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 77 nC 10 V

Vgs(最大值): ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5000 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.2W(Ta),136W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PowerDI5060-8

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Mouser
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DMTH3002LPS-13_晶体管
DMTH3002LPS-13
授权代理品牌

MOSFET NCH 30V 100A POWERDI

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.6 毫欧 25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 77 nC 10 V

Vgs(最大值): ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5000 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.2W(Ta),136W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PowerDI5060-8

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

DMTH3002LPS-13参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.6 毫欧 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 77 nC 10 V
Vgs(最大值): ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5000 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.2W(Ta),136W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerDI5060-8
封装/外壳: 8-PowerTDFN
温度: -55°C # 175°C(TJ)