DMN2044UCB4-7厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 DMN2044UCB4-7 共 6 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2044UCB4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 3.3A U-WLB1010-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥3.027168 +100：￥2.573136 +200：￥2.11896 +500：￥1.892016 +800：￥1.740672	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 1.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 720mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-WLB1010-4 封装/外壳： 4-UFBGA，WLBGA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2044UCB4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 3.3A U-WLB1010-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.591401 +6000：￥1.488778	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 1.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 720mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-WLB1010-4 封装/外壳： 4-UFBGA，WLBGA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN2044UCB4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 3.3A U-WLB1010-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.749936 +6000：￥2.572603	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 1.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 720mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-WLB1010-4 封装/外壳： 4-UFBGA，WLBGA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN2044UCB4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 3.3A U-WLB1010-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.778822 +10：￥6.648462 +100：￥4.967508 +500：￥3.903268 +1000：￥3.016117	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 4-UFBGA, WLBGA 供应商器件封装： U-WLB1010-4
DMN2044UCB4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 3.3A U-WLB1010-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.778822 +10：￥6.648462 +100：￥4.967508 +500：￥3.903268 +1000：￥3.016117	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 4-UFBGA, WLBGA 供应商器件封装： U-WLB1010-4

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2044UCB4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 3.3A U-WLB1010-4 下载数据手册未分类	+1：￥8.815671 +10：￥7.548418 +100：￥5.633765 +500：￥4.435384 +1000：￥3.429847	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 1.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 720mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-WLB1010-4 封装/外壳： 4-UFBGA，WLBGA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN2044UCB4-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	40 毫欧 1.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	900mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	47 nC 8 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1400 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	720mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	U-WLB1010-4
封装/外壳:	4-UFBGA，WLBGA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）