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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN90H8D5HCT Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.570431 +200：￥8.610689 +500：￥8.32658 +1000：￥8.184525	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 470 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN90H8D5HCT Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥5.757446	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 470 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN90H8D5HCT Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥14.084237	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 470 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN90H8D5HCT Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB 下载数据手册晶体管	+1：￥19.760845 +10：￥16.210888 +100：￥14.199829 +500：￥13.133093 +1000：￥12.031382	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 470 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN90H8D5HCT参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7 欧姆 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	7.9 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	470 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	125W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）