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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT2004UFG-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 24 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.45V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1683 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT2004UFG-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.679149	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 24 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.45V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1683 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT2004UFG-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.901564	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 24 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.45V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1683 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT2004UFG-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333 下载数据手册晶体管	+1：￥9.806203 +10：￥8.588336 +100：￥5.852089 +500：￥4.903102 +1000：￥4.175545	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 24 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.45V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1683 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT2004UFG-13 Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 24V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥3.527072	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMT2004UFG-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	24 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5 毫欧 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.45V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	53.7 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1683 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.3W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PowerDI3333-8
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）