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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMTH4008LFDFWQ-7_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-

晶体管-FET,MOSFET-单个

+3000:

¥1.846471

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11.6A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11.5 毫欧 10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14.2 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1030 pF 20 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 990mW(Ta)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: U-DFN2020-6(SWP)(F 型)

封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
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DMTH4008LFDFWQ-7_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-

晶体管-FET,MOSFET-单个

+3000:

¥3.190696

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11.6A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11.5 毫欧 10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14.2 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1030 pF 20 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 990mW(Ta)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: U-DFN2020-6(SWP)(F 型)

封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Mouser
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DMTH4008LFDFWQ-7_未分类
DMTH4008LFDFWQ-7
授权代理品牌

MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-

未分类

+1:

¥8.347845

+10:

¥7.433557

+100:

¥5.710986

+500:

¥4.505186

+1000:

¥3.604149

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11.6A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11.5 毫欧 10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14.2 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1030 pF 20 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 990mW(Ta)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: U-DFN2020-6(SWP)(F 型)

封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘

温度: -55°C # 175°C(TJ)

艾睿
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DMTH4008LFDFWQ-7_未分类
DMTH4008LFDFWQ-7
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 40V 11.6A Automotive T/R

未分类

+3000:

¥8.39767

+6000:

¥8.329515

+9000:

¥8.259909

+12000:

¥8.190302

+15000:

¥8.120696

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

DMTH4008LFDFWQ-7参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11.5 毫欧 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14.2 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1030 pF 20 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 990mW(Ta)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: U-DFN2020-6(SWP)(F 型)
封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘
温度: -55°C # 175°C(TJ)