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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG301NU-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥1.505482 +50：￥1.279696 +150：￥1.053789 +500：￥0.940896 +2500：￥0.865634	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.36 nC 4.5 V Vgs（最大值）： 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27.9 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG301NU-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23 下载数据手册	+1：￥0.976809 +10：￥0.819961 +30：￥0.741537 +100：￥0.682719 +500：￥0.635665	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.36 nC 4.5 V Vgs（最大值）： 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27.9 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG301NU-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.6897	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.36 nC 4.5 V Vgs（最大值）： 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27.9 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG301NU-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+217：￥0.357953 +300：￥0.357953 +500：￥0.357953 +1000：￥0.325418	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.36 nC 4.5 V Vgs（最大值）： 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27.9 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMG301NU-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+217：￥0.875647 +300：￥0.875647 +500：￥0.875647 +1000：￥0.796058	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.36 nC 4.5 V Vgs（最大值）： 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27.9 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG301NU-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+217：￥0.875647 +300：￥0.875647 +500：￥0.875647 +1000：￥0.796058	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23
DMG301NU-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+217：￥0.875647 +300：￥0.875647 +500：￥0.875647 +1000：￥0.796058	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG301NU-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23 下载数据手册未分类	+1：￥7.352321 +10：￥4.950564 +100：￥2.924591 +1000：￥1.84625 +2500：￥1.780896	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.36 nC 4.5 V Vgs（最大值）： 8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27.9 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG301NU-13 Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R 下载数据手册未分类	+1：￥6.547551 +10：￥4.807675 +100：￥2.708902 +500：￥2.562221 +1000：￥1.580713	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	DMG301NU-13 Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R 下载数据手册未分类	+1：￥5.651867 +10：￥4.526798 +25：￥4.309899 +100：￥2.855581 +250：￥2.783803	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMG301NU-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	260mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.7V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4 欧姆 400mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.36 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	27.9 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	320mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）