DMT3009LFVW-7厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 DMT3009LFVW-7 共 8 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT3009LFVW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333 下载数据手册未分类	+1：￥2.564959 +10：￥2.11246 +30：￥1.918501	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta），50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 14.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 823 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装，可润湿侧翼供应商器件封装： PowerDI3333-8（SWP）UX 类封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT3009LFVW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥1.818013	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta），50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 14.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 823 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装，可润湿侧翼供应商器件封装： PowerDI3333-8（SWP）UX 类封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMT3009LFVW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥3.141521	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta），50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 14.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 823 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装，可润湿侧翼供应商器件封装： PowerDI3333-8（SWP）UX 类封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMT3009LFVW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333 下载数据手册未分类	+2000：￥2.804713 +6000：￥2.611253 +10000：￥2.514523	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： 8-PowerVDFN Mounting Type： Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 12A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 11mOhm @ 14.4A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 3.8V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 823 pF @ 15 V
DMT3009LFVW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333 下载数据手册未分类	+1：￥7.280765 +10：￥6.379337 +100：￥4.893137 +500：￥3.868514 +1000：￥3.094788	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 8-PowerVDFN Mounting Type： Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 12A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 11mOhm @ 14.4A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 3.8V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 823 pF @ 15 V
DMT3009LFVW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333 下载数据手册未分类	+1：￥7.280765 +10：￥6.379337 +100：￥4.893137 +500：￥3.868514 +1000：￥3.094788	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： 8-PowerVDFN Mounting Type： Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 12A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 11mOhm @ 14.4A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 3.8V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 823 pF @ 15 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT3009LFVW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333 下载数据手册未分类	+1：￥8.435393 +10：￥7.510221 +100：￥5.76872 +500：￥4.557834 +1000：￥3.646267	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta），50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 14.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 823 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装，可润湿侧翼供应商器件封装： PowerDI3333-8（SWP）UX 类封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT3009LFVW-7 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerDI EP T/R 下载数据手册未分类	+2000：￥3.010457 +4000：￥2.943751 +10000：￥2.884296	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMT3009LFVW-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	12A（Ta），50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	3.8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	11 毫欧 14.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	823 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.3W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装，可润湿侧翼
供应商器件封装:	PowerDI3333-8（SWP）UX 类
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）