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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DMTH41M8SPS-13_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506

晶体管-FET,MOSFET-单个

+2500:

¥5.748637

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.8 毫欧 30A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 79.5 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6968 pF 20 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.03W

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PowerDI5060-8(K 类)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
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DMTH41M8SPS-13_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506

晶体管-FET,MOSFET-单个

+2500:

¥9.933625

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.8 毫欧 30A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 79.5 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6968 pF 20 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.03W

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PowerDI5060-8(K 类)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Mouser
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DMTH41M8SPS-13_晶体管
DMTH41M8SPS-13
授权代理品牌

MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506

晶体管

+:

+:

+:

+:

+:

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.8 毫欧 30A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 79.5 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6968 pF 20 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.03W

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PowerDI5060-8(K 类)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

DMTH41M8SPS-13参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.8 毫欧 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 79.5 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6968 pF 20 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.03W
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerDI5060-8(K 类)
封装/外壳: 8-PowerTDFN
温度: -55°C # 175°C(TJ)