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	DMP21D0UT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.59A SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.579457 +10：￥0.526786 +30：￥0.491659 +100：￥0.438988 +500：￥0.414401	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 590mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 495 毫欧 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.54 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 80 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 240mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMP21D0UT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.59A SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥1.673568 +100：￥1.422576 +200：￥1.17144 +500：￥1.046016 +800：￥0.962352	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 590mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 495 毫欧 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.54 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 80 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 240mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMP21D0UT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.59A SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥0.542515 +50：￥0.435616 +150：￥0.382167 +500：￥0.342078	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 590mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 495 毫欧 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.54 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 80 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 240mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMP21D0UT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.59A SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.71148	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 590mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 495 毫欧 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.54 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 80 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 240mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMP21D0UT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.59A SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.92444	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 590mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 495 毫欧 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.54 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 80 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 240mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMP21D0UT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.59A SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.055406 +200：￥0.681031 +1500：￥0.591893 +3000：￥0.524173 +45000：￥0.516996	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 590mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 495 毫欧 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.54 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 80 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 240mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMP21D0UT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.59A SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.599674 +6000：￥0.586334 +9000：￥0.51927 +30000：￥0.512563 +75000：￥0.43555	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 590mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 495 毫欧 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.54 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 80 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 240mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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DMP21D0UT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.59A SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.036234 +6000：￥1.013183 +9000：￥0.897296 +30000：￥0.885708 +75000：￥0.752629	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 590mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 495 毫欧 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.54 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 80 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 240mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP21D0UT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.59A SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.735073 +10：￥3.327012 +100：￥1.678459 +500：￥1.48781 +1000：￥1.15785	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-523 供应商器件封装： SOT-523
DMP21D0UT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.59A SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.735073 +10：￥3.327012 +100：￥1.678459 +500：￥1.48781 +1000：￥1.15785	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-523 供应商器件封装： SOT-523

DMP21D0UT-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	590mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	495 毫欧 400mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	700mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	1.54 nC 8 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	80 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	240mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-523
封装/外壳:	SOT-523
温度:	-55°C # 150°C（TJ）