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	DMP58D0LFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.733744 +200：￥0.495616 +800：￥0.363242 +3000：￥0.264748 +6000：￥0.251317	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 欧姆 100mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMP58D0LFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥0.602822 +50：￥0.502392 +150：￥0.401962 +500：￥0.334928	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 欧姆 100mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMP58D0LFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3 下载数据手册未分类	+5：￥0.623838 +50：￥0.499158 +150：￥0.436872 +500：￥0.390103 +3000：￥0.352733	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 欧姆 100mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMP58D0LFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.260876	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 欧姆 100mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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DMP58D0LFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.462819 +50：￥0.313254 +1500：￥0.282693 +3000：￥0.253751 +18000：￥0.252594	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 欧姆 100mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP58D0LFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+465：￥1.790805 +500：￥1.217143 +6000：￥0.935774	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 欧姆 100mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP58D0LFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥2.857262 +100：￥1.792523 +500：￥1.218371 +1000：￥0.936755	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 欧姆 100mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP58D0LFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.573025 +200：￥0.369746 +1500：￥0.320894 +3000：￥0.284197 +45000：￥0.281187	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 欧姆 100mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMP58D0LFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 欧姆 100mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMP58D0LFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.491419	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 欧姆 100mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMP58D0LFB-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	180mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8 欧姆 100mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	27 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	470mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	X1-DFN1006-3
封装/外壳:	3-UFDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMP58D0LFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.462819 +50：￥0.313254 +1500：￥0.282693 +3000：￥0.253751 +18000：￥0.252594	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 欧姆 100mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP58D0LFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+465：￥1.790805 +500：￥1.217143 +6000：￥0.935774	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 欧姆 100mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP58D0LFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥2.857262 +100：￥1.792523 +500：￥1.218371 +1000：￥0.936755	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 欧姆 100mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP58D0LFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.573025 +200：￥0.369746 +1500：￥0.320894 +3000：￥0.284197 +45000：￥0.281187	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 欧姆 100mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 27 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）