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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT10H072LFV-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.440393 +6000：￥1.326135 +9000：￥1.267849 +15000：￥1.20237 +21000：￥1.195241	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.7A（Ta），20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 228 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8（UX 类）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT10H072LFV-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.523582 +6000：￥3.244076 +9000：￥3.101493 +15000：￥2.941316 +21000：￥2.923876	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.7A（Ta），20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 228 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8（UX 类）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT10H072LFV-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI33 下载数据手册晶体管	+1：￥9.618078 +10：￥8.457276 +100：￥5.770847 +500：￥4.825623 +1000：￥4.112559	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.7A（Ta），20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 228 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8（UX 类）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT10H072LFV-13 Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥3.710017 +6000：￥3.67287 +9000：￥3.635723 +12000：￥3.600124 +15000：￥3.564527	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMT10H072LFV-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.7A（Ta），20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	62 毫欧 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.8V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	4.5 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	228 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PowerDI3333-8（UX 类）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）