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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3105LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT26 下载数据手册未分类	+1：￥1.56249 +10：￥1.272153 +30：￥1.1478 +100：￥0.992523 +500：￥0.923464	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.1A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75mOhm 4.2A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 839 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.15W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： TSOT-23 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3105LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.045803 +100：￥0.987239	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.1A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75mOhm 4.2A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 839 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.15W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： TSOT-23 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3105LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.778688 +6000：￥0.735429	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.1A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75mOhm 4.2A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 839 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.15W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： TSOT-23 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMP3105LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.345571 +6000：￥1.270818	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.1A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75mOhm 4.2A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 839 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.15W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： TSOT-23 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C (TJ)
DMP3105LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.05445 +10：￥4.559371 +100：￥2.84065 +500：￥1.943603 +1000：￥1.495079	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23-6
DMP3105LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.387244 +10：￥1.026212 +30：￥0.959968 +100：￥0.89358 +500：￥0.864202	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSOT-23-6

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3105LVT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT26 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.1A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75mOhm 4.2A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 839 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.15W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： TSOT-23 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C (TJ)

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3105LVT-7 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 30V 3.9A 6-Pin TSOT-26 T/R 下载数据手册未分类	+1：￥6.638665 +10：￥4.962322 +100：￥3.05396 +500：￥2.076577 +1000：￥1.573385	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	DMP3105LVT-7 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 30V 3.9A 6-Pin TSOT-26 T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥1.147049 +9000：￥1.062941 +45000：￥0.957082	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMP3105LVT-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	Active
FET 类型:	P-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.1A (Ta)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V, 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	75mOhm 4.2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	19.8 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	839 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.15W (Ta)
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商器件封装:	TSOT-23
封装/外壳:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
温度:	-55°C # 150°C (TJ)