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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN4030LK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 9.4A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 604 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.14W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN4030LK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 9.4A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥1.766965	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 604 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.14W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN4030LK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 9.4A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.05331	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 604 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.14W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN4030LK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 9.4A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252-3
DMN4030LK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 9.4A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252-3
DMN4030LK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 9.4A TO252-3 下载数据手册未分类	+2500：￥2.817944 +5000：￥2.669638 +12500：￥2.471855 +25000：￥2.447489	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 9.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 30mOhm @ 12A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.14W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 12.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 604 pF @ 20 V
DMN4030LK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 9.4A TO252-3 下载数据手册未分类	+1：￥7.458822 +10：￥6.427019 +100：￥4.449188 +500：￥3.717726 +1000：￥3.164034	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 9.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 30mOhm @ 12A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.14W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 12.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 604 pF @ 20 V
DMN4030LK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 9.4A TO252-3 下载数据手册未分类	+1：￥7.458822 +10：￥6.427019 +100：￥4.449188 +500：￥3.717726 +1000：￥3.164034	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 9.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 30mOhm @ 12A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.14W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 12.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 604 pF @ 20 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN4030LK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 9.4A TO252-3 下载数据手册未分类	+1：￥8.534955 +10：￥7.428572 +100：￥5.215807 +500：￥4.425533 +1000：￥4.01459	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 604 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.14W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN4030LK3-13 Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 40V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥2.514651	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMN4030LK3-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	30 毫欧 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12.9 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	604 pF 20 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.14W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252-3
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）