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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2990UFZ-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 250MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥1.012464 +10000：￥0.723168 +20000：￥0.723168	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 990 毫欧 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 55.2 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X2-DFN0606-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2990UFZ-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 250MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.846289 +10：￥2.331646 +30：￥2.111085	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 990 毫欧 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 55.2 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X2-DFN0606-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2990UFZ-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 250MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥0.709994	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 990 毫欧 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 55.2 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X2-DFN0606-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN2990UFZ-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 250MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥1.226867	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 990 毫欧 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 55.2 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X2-DFN0606-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN2990UFZ-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 250MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.441838 +10：￥4.825301 +100：￥3.008216 +500：￥2.057986 +1000：￥1.582991	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-XFDFN 供应商器件封装： X2-DFN0606-3
DMN2990UFZ-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 250MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.441838 +10：￥4.825301 +100：￥3.008216 +500：￥2.057986 +1000：￥1.582991	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-XFDFN 供应商器件封装： X2-DFN0606-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2990UFZ-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 250MA 3DFN 下载数据手册未分类	+1：￥7.300478 +10：￥5.482246 +100：￥3.416072 +500：￥2.341663 +1000：￥1.804457	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 990 毫欧 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 55.2 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X2-DFN0606-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2990UFZ-7B 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 20V 0.25A 3-Pin X2-DFN T/R 下载数据手册未分类	+10000：￥1.460274	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	DMN2990UFZ-7B 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 20V 0.25A 3-Pin X2-DFN T/R 下载数据手册未分类	+1：￥6.87144 +10：￥5.10839 +25：￥5.050757 +100：￥3.113499 +250：￥3.083373	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMN2990UFZ-7B参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	250mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.2V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	990 毫欧 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.5 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	55.2 pF 16 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	320mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	X2-DFN0606-3
封装/外壳:	3-XFDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）